特許
J-GLOBAL ID：200903096677967202
酸化物積層構造の製造方法および有機金属化学気相成長装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-264484
公開番号（公開出願番号）：特開平10-231196
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 界面におけるSiO2 の生成を抑制しつつ、(100)面方位のSi基板上に該面方位のCeO2 層を成長させる酸化物積層構造の製造方法およびそれに用いる有機金属化学気相成長装置の提供。【解決手段】 (100)面方位のSi基板の表面を0.2〜1wt%のHFと0.015〜0.3wt%のH2 O2 とを含有する水溶液で処理して表面のダングリングボンドを水素で終端した後、このSi基板上にMOCVD法によりCeO2 層を成長させる。水素終端処理後、30分以内にSi基板を大気または酸化性雰囲気から隔離し、MOCVD装置の反応管に導入する。CeO2 層の成長は、初期には非酸化性雰囲気中で行い、その後、15〜100vol%の酸化性ガスを含む酸化性雰囲気中で行う。成長時の基板温度は600〜800°C、反応圧力は0.1〜10Torrとする。
請求項（抜粋）：
(100)面方位を有するシリコン基板上に(100)面方位を有する酸化セリウム層を成長させるようにした酸化物積層構造の製造方法であって、(100)面方位を有し、かつ、その表面のダングリングボンドが水素で終端されたシリコン基板を用いるようにしたことを特徴とする酸化物積層構造の製造方法。
IPC (8件)：
C30B 29/16
, C30B 25/18
, C30B 33/10
, H01L 21/20
, H01L 21/316
, H01L 39/02 ZAA
, H01L 39/24 ZAA
, H01L 21/205
C30B 29/16
, C30B 25/18
, C30B 33/10
, H01L 21/20
, H01L 21/316 X
, H01L 39/02 ZAA B
, H01L 39/24 ZAA B
, H01L 21/205
