特許
J-GLOBAL ID：200903096686603086
ケイ酸ガラス薄膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-052735
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267937
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 ケイ酸ガラス薄膜またはパタ-ンニングされたケイ酸ガラス薄膜を容易に形成する方法を提供すること。【構成】 単量体単位毎にC-O-Si結合を有する、線状のポリ(シロキサン)からなるシリコ-ン樹脂1.0gをメチルイソブチルケトン9.0mlに溶解し、0.2μmのフィルタで濾過して樹脂溶液を調整する。この樹脂溶液を3インチSi基板に回転塗布し、80°Cの温度下で1分間べ-クを行って薄膜を形成する。次に、加速電圧0.3kV、イオン電流3.3mAの条件下で、この薄膜に対して水素イオンを8分間照射する。水素イオン照射量は3.5×1016個/cm2 である。次に、試料をホットプレ-トで140°Cで5分間加熱してケイ酸ガラス薄膜を形成する。
請求項（抜粋）：
単量体単位毎にC-O-Si結合を有する、線状またはラダ-状のポリ(シロキサン)からなるシリコ-ン樹脂の薄膜を下地上に形成する工程と、前記薄膜の全面または選択された一部分に対して陽イオンを照射する工程と、前記陽イオンを照射した前記薄膜を加熱する工程とを含むことを特徴とするケイ酸ガラス薄膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, C03B 8/02
, C04B 41/87
