特許
J-GLOBAL ID：200903096688499065
アクティブマトリクス回路基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-134217
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053067
出願日： 1989年03月06日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】アクティブマトリクス回路基板の接続端子部において、信号線が絶縁膜を乗り越える際に、絶縁膜の段差によって断線する。【解決手段】絶縁膜の上に非晶質膜を残留させたまま、絶縁膜の端部のドライエッチングを行なうことにより、絶縁膜の端部にテーパを形成させることが可能になる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板の上方に薄膜トランジスタ部と信号線端子部とを備え、該薄膜トランジスタ部は少なくともシリコン系絶縁膜と、非晶質シリコン膜または多結晶シリコン膜からなる半導体膜とで構成され、かつ前記信号線端子部は少なくとも端子パターンと、前記シリコン系絶縁膜と、前記半導体膜と、信号配線とで構成され、前記端子パターンの少なくとも一部を覆うように配設された前記シリコン系絶縁膜の端部が順テーパ状の傾斜部を有し、該傾斜部を含み、前記端部近傍の上方に位置する半導体膜を覆うように、前記信号配線が形成されてなることを特徴とするアクティブマトリクス回路基板。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, G02F 1/1368
, G09F 9/30 338
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/302 J
, G09F 9/30 338
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 612 C
, H01L 29/78 612 D
, H01L 29/78 617 S
