Si基板の切断方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-049390
公開番号（公開出願番号）：特開平10-323779
出願日： 1998年03月02日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【課題】Si基板を蒸発切断或いは割断切断できる切断方法を提供する。【解決手段】レーザビーム2-2をSi基板3に照射して加熱する工程と停止する工程とによって、Si基板3に局所的に熱衝撃が加わって切断される。すなわち、Si基板3に瞬間的にレーザビーム2-2を吸収させて急加熱する工程と、レーザビーム2-2の照射を停止し、かつガスを吹き付けてSi基板3を急冷却する工程とによってSi基板3が切断される。また、波長9μm付近のレーザビームが最もSi基板3に吸収されるので、発振波長が9.1μm〜9.4μmの範囲から選ばれたCO2 レーザビームをSi基板3に照射することにより切断が促進される。

請求項（抜粋）：

Si基板に、発振波長が9.1μm〜9.4μmの範囲から選ばれたCO2 レーザビームを照射しながら上記Si基板を移動させることによって上記Si基板を切断することを特徴とするSi基板の切断方法。

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