特許

J-GLOBAL ID：200903096691484982

3族窒化物系化合物半導体素子の製造方法

発明者： 橋村 昌樹
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-183730
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031526
出願日： 2002年06月24日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】素子ワレ、カケの少ない、歩留まりの良い3族窒化物系化合物半導体素子の分離方法を提供する。【解決手段】基板1sに、複数層の3族窒化物系化合物半導体層を形成し、素子形状及び電極形成を行う。(2つの3族窒化物系化合物半導体層2nと3pで代表させている。)分離線上に、エッチング又はダイサーによるダイシング等で、基板に近い側の電極形成層のみ残された状態、又は分離線上の3族窒化物系化合物半導体層が無い状態を作る(a)。保護膜4を全表面に形成し(b)、レーザーにより、基板1sに、分離溝5を形成する(c)。保護膜4をレーザーによる反応物とともに除去し(d)、基板1s裏面を研磨し、基板1sを薄膜化する(e)。次に基板1sの裏面の格子枠状の分離線に対応するように、裏面溝6を形成し(f)、分離線に沿って個々の素子に分離する(g)。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された3族窒化物系化合物半導体素子を分離して個々の3族窒化物系化合物半導体素子とする製造方法において、 分離線上の3族窒化物系化合物半導体層が前記基板に近い側の電極形成層のみ残された状態、又は分離線上の3族窒化物系化合物半導体層が無い状態とする半導体層除去工程と、 基板表面側層を覆う、後の工程で除去可能な保護膜を形成する保護膜形成工程と、 分離線に沿ってレーザービームを走査して分離溝を形成するレーザー走査工程と、 前記保護膜及びレーザービーム走査により生じた不要物を除去する保護膜等除去工程とを有し、 分離線に沿ってレーザービームの走査により形成された分離溝を用いて基板を素子ごとに分離して個々の3族窒化物系化合物半導体素子とすることを特徴とする3族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/301 ,  H01L33/00

FI (3件)：

H01L21/78 A ,  H01L33/00 C ,  H01L21/78 B

Fターム (5件)：

5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77