特許

J-GLOBAL ID：200903096692410761

半導体装置およびその製法

発明者： 坂本 和久
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-031148
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227895
出願日： 1995年02月20日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】高速のスイッチング特性で、かつ、高い耐圧またはリーク電流の少ない特性を有する半導体装置およびその製法を提供する。【構成】半導体基板10に該基板表面と平行なpn接合20が形成された素子部の該pn接合の上下方向のみに粒子線の照射による結晶欠陥21が形成され、前記pn接合部以外の前記素子部の基板表面には粒子線放射抑制用のチッ化ケイ素膜17が設けられている。

請求項（抜粋）：

半導体基板に該基板表面に沿うpn接合が形成された素子部の該pn接合の上下方向のみに粒子線の照射による結晶欠陥部が限定されるように形成され、前記pn接合部以外の前記素子部の基板表面には粒子線放射抑制用のチッ化ケイ素膜が設けられてなる半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/329

FI (6件)：

H01L 21/322 L ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/78 658 L ,  H01L 29/91 J ,  H01L 29/91 B ,  H01L 29/91 D

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭55-015237