特許
J-GLOBAL ID：200903096698885966
半田バンプの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-336846
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166811
出願日： 1991年12月19日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】 IC等の半導体部品のアルミ電極に金のスタッドバンプをワイヤーボンダで形成し、その上に半田でスタッドバンプを形成することで拡散防止のバリアメタルの形成を省略する。【構成】 IC等の半導体部品1のアルミ電極2に金のスタッドバンプ3をまず形成し、さらにその上に半田のスタッドバンプ4を形成する。
請求項（抜粋）：
IC等の半導体部品のアルミ電極に金のスタッドバンプを形成し、その上に半田のスタッドバンプを形成したことを特徴とする半田バンプの形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 C
, H01L 21/92 D
