半導体基板の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：山下昭彦 , 岸本達人 , 星野哲郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-004837
公開番号（公開出願番号）：特開2009-218575
出願日： 2009年01月13日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：

【課題】本発明は、基底面転位などの欠陥が著しく低減された炭化珪素結晶からなる半導体基板を製造することが可能な、半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、炭化珪素単結晶基板を用い、上記炭化珪素単結晶基板の表面を水素エッチング処理する第1水素エッチング工程と、上記炭化珪素単結晶基板の上記第1水素エッチング工程において水素エッチング処理された表面上に、炭化珪素結晶をエピタキシャル成長させることにより、炭化珪素結晶からなるバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、上記バッファ層の表面を水素エッチング処理する第2水素エッチング工程と、上記水素エッチング処理されたバッファ層の表面上に、炭化珪素結晶をエピタキシャル成長させることにより、炭化珪素結晶からなる仕上層を形成する仕上層形成工程と、を有することを特徴とする半導体基板の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素単結晶基板を用い、前記炭化珪素単結晶基板の表面を水素エッチング処理する第1水素エッチング工程と、前記炭化珪素単結晶基板の前記第1水素エッチング工程において水素エッチング処理された表面上に、炭化珪素結晶をエピタキシャル成長させることにより、炭化珪素結晶からなるバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、前記バッファ層の表面を水素エッチング処理する第2水素エッチング工程と、前記水素エッチング処理されたバッファ層の表面上に、炭化珪素結晶をエピタキシャル成長させることにより、炭化珪素結晶からなる仕上層を形成する仕上層形成工程と、を有することを特徴とする、半導体基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C30B 29/36 , C30B 25/20 , C23C 16/02 , C23C 16/42

FI (5件)：

H01L21/205 , C30B29/36 A , C30B25/20 , C23C16/02 , C23C16/42

Fターム (32件)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DB01 , 4G077ED06 , 4G077EE02 , 4G077EF03 , 4G077HA12 , 4G077TC14 , 4G077TC17 , 4G077TK01 , 4G077TK10 , 4K030AA06 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA04 , 4K030FA10 , 4K030LA12 , 5F045AA06 , 5F045AB06 , 5F045AD18 , 5F045AE21 , 5F045AF02 , 5F045BB12 , 5F045DA53 , 5F045EB15 , 5F045HA03 , 5F045HA13

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