特許
J-GLOBAL ID：200903096708223452
Inバンプの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-076774
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274102
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】 複数の半導体チップを電気的,機械的に接合するためのInバンプの形成方法において、アスペクト比(バンプの高さ/バンプの径)が大きく、かつ均一な高さのInバンプを形成する。【構成】 Inメッキ成長を行う2層目レジストパターン5の開口6,7の開口径を配列の中心から周囲に向かって徐々に小さくする。【効果】 メッキ電流の流れやすさに起因するメッキ反応の促進と、イオンの拡散に起因する反応の抑制を相殺し、反応の均一化が図れる。
請求項（抜粋）：
半導体チップ上にメッキ電流を供給するための電極膜及び2次元に配列されたレジストパターンの開口部を設け、前記レジストパターンの前記開口部にInメッキ成長を行う手段を有するInバンプの形成方法において、前記レジストパターンの前記開口部の開口径を配列の中心から周囲に向かって徐々に小さくすることを特徴とするInバンプの形成方法。
FI (3件)：
H01L 21/92 604 B
, H01L 21/92 602 Q
, H01L 21/92 603 A
