特許
J-GLOBAL ID：200903096710052762
Al含有Si基合金ターゲット材およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金丸 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-138897
公開番号（公開出願番号）：特開平5-331635
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1993年12月14日
要約：
【要約】【目的】 スパッタリングによる薄膜の成膜に用いられるAl含有Si基合金ターゲット材について、密度が高くて組成・組織が均一で、しかも酸素含有量が従来のものよりも格段に低く、スパッタリングによって成膜される薄膜中の酸素量を低く抑えて、その膜特性を向上させることができるものとする。【構成】 ガスアトマイズ法によって製造されたSi含有量が50原子%未満である高Si含有Al合金粉末に、Si粉末を添加混合して、Al含有量が10〜50原子%とした混合粉末を熱間加圧して固化成形し、Al含有量が10〜50原子%、酸素含有量が3000ppm 以下、残部がSiおよび不可避不純物からなるAl含有Si基合金ターゲット材を得る。
請求項（抜粋）：
Al含有量が10〜50原子%、酸素含有量が3000ppm以下、残部がSiおよび不可避不純物からなることを特徴とするAl含有Si基合金ターゲット材。
IPC (2件)：
引用特許：
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