特許
J-GLOBAL ID：200903096711010850
有機発光膜の加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-319481
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124380
出願日： 2000年10月19日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：
【要約】【課題】 レーザーアブレーション加工方法において、ITO薄膜を一緒に除去したり、ガラス基板にダメージを与えること無く、ITO薄膜上の有機発光膜を複数の画素に分割、または有機発光膜にコンタクトホールを形成することが可能なレーザーアブレーション加工方法を提供すること。【解決手段】 本発明の有機発光膜の加工方法は、透明基板上に、透明電極、有機発光膜、金属電極、をこの順に形成してなる有機EL素子の、該有機発光膜の加工方法において、上記透明基板上に、上記透明電極として、ITO薄膜を形成し、上記ITO薄膜上に、上記有機発光膜を形成した後、有機発光膜には吸収されるが、ガラス基板及びITO薄膜にはほとんど吸収されない波長範囲325〜360nmのレーザー、具体的には、Nd:YAGレーザの第3高調波(波長355nm)、またはNd:YVO4レーザの第3高調波(波長355nm)、またはNd:YLFレーザの第3高調波(波長349nm)であるレーザ光を用いて、上記有機発光膜を選択的に除去することを特徴としている。
請求項（抜粋）：
透明基板上に、透明電極、有機発光膜、金属電極、をこの順に形成してなる有機EL素子の、該有機発光膜の加工方法において、上記透明基板上に、上記透明電極として、ITO薄膜を形成し、上記ITO薄膜上に、上記有機発光膜を形成した後、波長325〜360nmのレーザー光を用いて、上記有機発光膜を選択的に除去することを特徴とする有機発光膜の加工方法。
IPC (3件)：
H05B 33/10
, H05B 33/12
, H05B 33/14
H05B 33/10
, H05B 33/12 B
, H05B 33/14 A
3K007AB00
, 3K007AB18
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007DA00
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007FA00
, 3K007FA01
