特許

J-GLOBAL ID：200903096728253080

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

発明者： 原 義博 ,  高木 剛 ,  久保 実
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-233052
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045885
出願日： 2001年08月01日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 ヘテロバイポーラトランジスタにおける,高周波特性の向上と電流増幅率の向上とを実現する。【解決手段】 Si/SiGe又はSi/SiGeCヘテロバイポーラトランジスタの傾斜ベース層における不純物濃度を、均一濃度ではなく、エミッタからコレクタに向かう方向に徐々に増大するように傾斜させている。傾斜ベース層におけるベース抵抗を一定に保ちつつ、不純物濃度をエミッタからコレクタに向かう方向に増大するように傾斜させることにより、電流増幅率βを向上させることができる。Ge組成率を傾斜させていることによる作り付けの加速電界がある程度存在していれば、エミッタから注入された電子を十分に加速でき、高周波特性も良好に維持される。

請求項（抜粋）：

基板上に、第1の半導体層,該第1の半導体層よりもバンドギャップの大きい化合物半導体からなる第2の半導体層,及び該第2の半導体層よりもバンドギャップの小さい第3の半導体層を積層して構成されるヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、主として上記第1の半導体層を用いて形成され、第1導電型不純物を含むコレクタ層と、主として上記第2の半導体層を用いて形成され、第2導電型不純物を含むベース層と、主として上記第3の半導体層を用いて形成され、第1導電型不純物を含むエミッタ層とを備え、上記ベース層は、上記エミッタに隣接する部分においてベース層中の平均濃度よりも低い第2導電型不純物を含んでいることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/737

FI (2件)：

H01L 29/72 H ,  H01L 27/06 321 B

Fターム (28件)：

5F003AP05 ,  5F003AZ01 ,  5F003BB01 ,  5F003BB02 ,  5F003BB04 ,  5F003BB06 ,  5F003BB07 ,  5F003BE04 ,  5F003BE07 ,  5F003BF05 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BH07 ,  5F003BH93 ,  5F003BJ03 ,  5F003BM01 ,  5F003BM02 ,  5F003BP08 ,  5F003BP21 ,  5F048AA10 ,  5F048AC05 ,  5F048BA02 ,  5F048BA14 ,  5F048CA01 ,  5F048CA03 ,  5F048CA07 ,  5F048CA14 ,  5F048CA15