特許
J-GLOBAL ID：200903096728524840
半導体装置及び製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-310415
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152180
出願日： 1991年11月26日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】 2枚のシリコン・ウェハを張り合わせて形成されるSOI張り合わせウェハを、半導体素子形成に関して従前通りの品質を確保したまま、その製造原価を低減させる。【構成】 2枚のシリコン・ウェハを絶縁膜を介して張り合わせてなるSOI張り合わせウェハの一方をシリコン多結晶ウェハ1とし、他方をシリコン単結晶ウェハ2とし、シリコン単結晶ウェハ2側に半導体素子を形成する。前記絶縁膜をシリコン酸化膜とし、シリコン多結晶ウェハ1及びシリコン単結晶ウェハ2の少なくとも一方のウェハの少なくとも一方の面が酸化され、この酸化された面を他方のウェハに当接させ、これに熱処理を加えて2枚のウェハが接着される。
請求項（抜粋）：
2枚のシリコン・ウェハを絶縁膜を介して張り合わせてなる半導体装置において、一方のシリコン・ウェハはシリコン多結晶ウェハであり、他方のシリコン・ウェハをシリコン単結晶ウェハであることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 21/304 321
, H01L 27/12
