特許

J-GLOBAL ID：200903096732955510

双方向高耐圧半導体素子

発明者： 安原 紀夫 ,  中川 明夫 ,  小倉 常雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-249481
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090281
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】本発明は双方向高耐圧半導体素子の面積縮小を目的とする。【構成】酸化膜2により他から分離されたn- 型高抵抗シリコン層3を共通ベース層としてその表面に、p型ベース層4,5およびp型ドレイン層6,7,8,9が形成され、p型ベース層4,5にはそれぞれn+ 型ソース層10,11および12,13が形成されて、二つのIGBT-Q1 ,Q2 が一体形成されている。p型ベース層4,5上にソース電極14,15が設けられ、p型ドレイン層6,7,8,9のそれぞれにドレイン電極16,17,18,19が設けられ、これらのソース,ドレイン電極は端子E1 ,E2 の2系統に分けられて、それぞれ1つ置きに接続されて、端子E1 とE2 の間で双方向素子が構成されている。

請求項（抜粋）：

それぞれ第1導電型の高抵抗ベース層の表面部に第2導電型ベース層が形成され、この第2導電型ベース層の内外表面にそれぞれ第1導電型の第1の主電極領域および第2導電型の第2の主電極領域が形成された二つの横型pnpn高耐圧素子が、前記高抵抗ベース層を一つの誘電体分離された島状半導体層として共有して構成され、かつ逆並列接続されていることを特徴とする双方向高耐圧半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/78 321 Z