特許
J-GLOBAL ID：200903096741186082
MOSトランジスタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-086517
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326306
出願日： 1994年04月25日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 素子の電気的特性を向上させたMOSトランジスタおよびその製造方法を提供する。【構成】 第1導電型の半導体基板14上にゲート絶縁膜27を介在してゲート電極28が形成されている。ゲート電極28の長さ方向と平行に基板内に一定な間隔をおいて第1導電型と反対である第2導電型のソース領域およびドレイン領域34が形成されている。ソース領域とドレイン領域との間の基板14上に形成されるチャネル領域には基板14の表面からバルクの方に侵入するように第2導電型のスレショルド電圧調節用不純物領域26と第2導電型の拡散障壁用不純物領域22と前記拡散障壁用不純物より高い拡散係数を有する第1導電型のパンチスルー防止用不純物領域18とが形成されている。これにより、電流駆動能力を低下させることなくショートチャネル効果およびパンチスルー特性を向上させる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の長さ方向と平行に前記半導体基板内に一定な間隔をおいて形成された第1導電型と反対の第2導電型のソース領域およびドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の基板表面からバルクの方に侵入するように形成されて、第2導電型のスレショルド電圧調節用第1不純物領域と第2導電型の拡散障壁用第2不純物領域と前記拡散障壁用第2不純物領域より高い拡散係数を有する第1導電型のパンチスルー防止用第3不純物領域とを含むチャネル領域と、を具備することを特徴とするMOSトランジスタ。
引用特許：
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