アルミニウム系パターンの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-124687
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314689
出願日： 1993年04月30日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【目的】 Al系材料層のドライエッチングにおけるマスク選択性、下地選択性を向上させ、パーティクルとアフターコロージョンを低減する。【構成】 Al系多層膜7をCO/Cl2 /BCl3 混合ガスを用いてエッチングする。このとき、レジスト・マスク8の分解生成物から形成されるCClx ポリマーにはC-O結合やカルボニル基が導入されて強い化学結合と静電吸着力が付与され、少量の堆積量で優れたレジスト・マスク8の表面保護効果とパターンの側壁保護効果を発揮する。これにより、異方性加工に必要な入射イオン・エネルギーを低減でき、高選択性、低汚染性、低コロージョン性が得られる。S(イオウ)の堆積を併用してさらにプロセスを低汚染化したり、エッチング後にフッ素系ガスによるプラズマ・クリーニングを行って低コロージョン化を徹底させることも有効。

請求項（抜粋）：

酸化炭素、酸化窒素、酸化イオウから選ばれる少なくとも1種類の無機酸化物とハロゲン化合物とを含むエッチング・ガスを用いて基板上のアルミニウム系配線層をエッチングすることを特徴とするアルミニウム系パターンの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/302 , H01L 21/324

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開昭63-244848
特開昭53-146939
特開平4-245625

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審査官引用 (4件)

特開昭63-244848
特開昭53-146939
特開平4-245625

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