特許

J-GLOBAL ID：200903096746772850

半導体装置およびその製造方法

発明者： 百武 康仁
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-164584
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022346
出願日： 1993年07月02日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】 コンタクトホールにおける金属配線のカバレッジ率が改善された信頼性の高い半導体装置を得る。【構成】 半導体基板1と、この半導体基板1上に設けられた層間酸化膜4と、この層間酸化膜4を貫通して半導体基板1上に穿設されたコンタクトホール5と、このコンタクトホール5内に設けられ、半導体基板1内のコンタクトすべき拡散層2a、2bと同一の導電型のサイドウォール20と、このサイドウォール20の設けられたコンタクトホール5を介して拡散層2a、2bと接続された金属配線6Aとで構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に設けられた層間絶縁膜と、この層間絶縁膜を貫通して上記半導体基板上に穿設されたコンタクトホールと、このコンタクトホール内に設けられ、上記半導体基板内のコンタクトすべき拡散層と同一の導電型のサイドウォールと、このサイドウォールの設けられた上記コンタクトホールを介して上記拡散層と接続された金属配線とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (3件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/90 D ,  H01L 27/10 325 P