特許
J-GLOBAL ID：200903096755815805
混成集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-097664
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310627
出願日： 1993年04月23日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 ヒートシンク上に複数のスイッチング素子を固着し、放熱特性およびヒートサイクル時の信頼性を向上させる。【構成】 絶縁基板(1)上に形成された所望形状の導電路(3)の所定位置に熱放散特性を向上させるためのヒートシンク(4)が固着され、そのヒートシンク(4)上には電流量を増加させるために並列接続された複数のパワー半導体素子(5)が固着され、且つ、その各パワー半導体素子(5)はヒートシンク(4)上で分離される複数の被覆樹脂(6)でそれぞれ被覆保護されている。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成された所望形状の導電路の所定位置に熱放散特性を向上させるためのヒートシンクが固着され、そのヒートシンク上には複数のパワー半導体素子が固着され、且つ、その各パワー半導体素子は前記ヒートシンク上で分離される複数の被覆樹脂でそれぞれ被覆保護されたことを特徴とする混成集積回路。
IPC (2件)：
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