特許
J-GLOBAL ID：200903096756531207
半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-314253
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152288
出願日： 1991年11月28日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】 本発明はシリコン窒化膜の酸化速度を高めシリコン窒化膜上に厚いシリコン酸化膜を成長させる方法およびシリコン基板上に界面準位密度の低い良質な酸化膜を成長させる方法および装置を提供する。【構成】 シリコン窒化膜6/シリコン酸化膜8から構成される半導体容量絶縁膜においてシリコン窒化膜6の酸化時に酸化剤に2〜20%のオゾンを添加して750〜1200°Cで酸化することにより低温、短時間に所定の膜厚の上部シリコン酸化膜8を得ることができる。また、シリコン基板をオゾン添加酸化性雰囲気中で熱酸化することにより界面準位密度の低い良質なゲート酸化膜を提供する。
請求項（抜粋）：
少なくともシリコン窒化膜を形成した半導体基板を、酸素および2〜20%のオゾンを含む酸化性雰囲気中で750〜1200°Cの温度範囲で熱処理し、前記シリコン窒化膜上にシリコン酸化膜を形成する工程を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/318
, H01L 21/316
