特許
J-GLOBAL ID：200903096757463507
成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-185695
公開番号（公開出願番号）：特開平10-030168
出願日： 1996年07月16日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：
【要約】【課題】 成膜中にターゲット等に対し膜構成元素を高純度化し、また膜質の安定化を図る。【解決手段】 被着体6と所定の距離をおいて配置した飛散粒子発生源(例えば、ターゲット8)に対しエネルギービームを印加し、その飛散粒子のうち、所定範囲内の飛散速度を有する粒子を被着体6側に選択的に通過させた後、成膜する。この粒子が選択的に通過できる飛散速度の所定範囲は、被着体6に成膜したい元素の飛散速度を中心に設定される。この成膜法は、真空蒸着法やスパッタ法にくらべ、元素ごとに分布の相違がより明確に現れ易いレーザアブレーション法(図示)に好適である。なかでも、エキシマレーザ光を用いると、単原子ごとにターゲット8材の結合を切り離すことができ、元素の速度分布がより明確となる点で好ましい。
請求項（抜粋）：
被着体と所定の距離をおいて配置した飛散粒子発生源に対し、エネルギービームを印加する工程と、前記飛散粒子発生源から飛散する粒子のうち、所定範囲内の飛散速度を有する粒子を、前記被着体側に選択的に通過させる速度選択工程と、前記速度選択工程を経た粒子を、被着体に付着させる成膜工程とを有し、前記速度選択工程では、粒子が選択的に通過できる前記飛散速度の所定範囲を、前記成膜工程で成膜したい元素の飛散速度を中心に設定する成膜方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/22 Z
, C23C 14/28
