特許
J-GLOBAL ID：200903096757898716

固体撮像素子

発明者：
鈴木 信雄

鈴木 信雄 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-293776
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103786
出願日： 2005年10月06日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
【課題】ハイブリッド型の固体撮像素子において、感度及び色再現性を向上させる。【解決手段】行方向とこれに直交する列方向に配列された多数の画素を有する固体撮像素子であって、基板内光電変換部で発生して蓄積される電荷は電子であり、基板上光電変換部で発生して蓄積される電荷は正孔であって、信号読み出し回路112gのリセットトランジスタ116のドレイン電圧は、信号読み出し回路112r,bのリセットトランジスタ116のドレイン電圧よりも低く設定されたハイブリット型固体撮像素子。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
行方向とこれに直交する列方向に配列された多数の画素を有する固体撮像素子であって、 前記画素は、半導体基板内に形成されたそれぞれ異なる色の光を検出する複数の基板内光電変換素子と、前記複数の基板内光電変換素子上方に積層され、前記複数の基板内光電変換素子で検出される色とは異なる色の光を検出する基板上光電変換素子とを含む受光部と、前記基板内光電変換素子で発生して蓄積される電荷に応じた信号を読み出す第一の信号読み出し回路と、前記基板上光電変換素子で発生して蓄積される電荷に応じた信号を読み出す第二の信号読み出し回路とを含んで構成され、 前記基板内光電変換素子で発生して蓄積される電荷は電子であり、前記基板上光電変換素子で発生して蓄積される電荷は正孔であって、 前記第一の信号読み出し回路及び前記第二の信号読み出し回路は、それぞれ、前記電荷を信号に変換するための出力トランジスタと、前記電荷をリセットするためのリセットトランジスタと、前記画素を選択するための選択トランジスタとを含み、 前記出力トランジスタ、前記リセットトランジスタ、及び前記選択トランジスタは、それぞれnチャネルMOS型トランジスタであり、 前記第二の信号読み出し回路の前記リセットトランジスタのドレイン電圧は、前記第一の信号読み出し回路の前記リセットトランジスタのドレイン電圧よりも低く設定される固体撮像素子。
IPC (1件)：
H01L 27/146
FI (1件)：
H01L27/14 E
Fターム (11件)：
4M118AA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118CA03 ,  4M118CA15 ,  4M118CA32 ,  4M118CB14 ,  4M118DD09 ,  4M118DD12 ,  4M118GC08
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (8件)
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