特許

J-GLOBAL ID：200903096757938432

半導体装置およびその駆動方法

発明者： ファン チン ,  アマルトゥンガ ゲーハン アニル ジョセフ ,  熊谷 直樹
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-284856
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213617
出願日： 1995年11月01日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【課題】オン抵抗が低く、かつスイッチオフ速度の速い半導体装置を得る。【解決手段】横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(LIGBT)と、横型二重拡散・金属-酸化膜-半導体(LDMOS)とを備え、LIGBTとLDMOSは同一基板に横方向に形成され、LIGBTのカソードがLDMOSのソースと電気的に接続され、LIGBTのアソードがLDMOSのドレインと電気的に接続されている。

請求項（抜粋）：

カソードと、アノードと、ゲートと、を有する横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(LIGBT)と:ソースと、ドレインと、ゲートと、を有する横型二重拡散・金属-酸化物-半導体(LDMOS)と、を備え、LIGBTとLDMOSは同一基板に横方向に形成され、LIGBTのカソードがLDMOSのソースと電気的に接続され、LIGBTのアノードがLDMOSのドレインと電気的に接続されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

FI (4件)：

H01L 29/78 656 B ,  H01L 27/08 102 Z ,  H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/78 655 Z

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-148873
  
• 特開平4-079376
  
• 特開平2-270377
  
• 特開平2-177454
  
• 特開平2-168646