特許

J-GLOBAL ID：200903096759795396

膜のスパッタリング形成方法

発明者： 北浦 義昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願昭63-013529
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161637
出願日： 1988年01月26日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】 電子出願以前の出願であるので要約・選択図及び出願人の識別番号は存在しない。

請求項（抜粋）：

基板上にスパッタリング法によって膜を形成するにあたり、前記基板をターゲットに対向させて配置し、前記基板及びターゲット間で直流放電を行なう期間と高周波放電を行なう期間を設けることにより内部応力の異なる薄膜を積層して膜を形成することを特徴とする膜のスパッタリング形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/38 ,  C23C 14/40 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812