特許
J-GLOBAL ID：200903096760895809
絶縁ゲート型電力用半導体素子の駆動回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤田 龍太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-076258
公開番号（公開出願番号）：特開平5-244764
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 絶縁ゲート型電力用半導体素子のオフ時のゲート電圧のノイズマージンの減少を防止するとともに、トランスの1次巻線側に混入するノイズの影響を確実に排除し、絶縁ゲート型電力用半導体素子のノイズによる誤動作を防止する。【構成】 絶縁ゲート型電力用半導体素子1の駆動制御信号Siにより駆動制御用のスイッチング半導体素子4と逆相でスイッチングする短絡路用のスイッチング半導体素子15をトランス3Bの1次巻線1aに並列に接続する。
請求項（抜粋）：
直流電源端子にトランスの1次巻線と駆動用制御用のスイッチング半導体素子とを直列に接続し、前記トランスの2次巻線側に設けた絶縁ゲート型電力用半導体素子の駆動制御信号により前記駆動制御用のスイッチング半導体素子をスイッチングし、前記トランスの2次巻線出力によりゲート電圧を制御して前記電力用半導体素子をスイッチング駆動する絶縁ゲート型電力用半導体素子の駆動回路において、前記駆動制御信号により前記駆動制御用のスイッチング半導体素子と逆相でスイッチングする短絡路用のスイッチング半導体素子を前記トランスの1次巻線に並列に接続したことを特徴とする絶縁ゲート型電力用半導体素子の駆動回路。
引用特許：
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