特許

J-GLOBAL ID：200903096766278895

半導体装置およびその製造方法

発明者： 入江 重夫 ,  中林 隆 ,  山田 隆順
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-012221
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214678
出願日： 1998年01月26日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 ゲート絶縁膜を劣化させることなく、ゲート電極の短絡も防止し、セルフアラインコンタクトを形成できる半導体装置を実現する。【解決手段】 ゲート酸化膜2,ゲート電極3およびシリコン窒化膜4の側壁に沿ってシリコン酸化膜6を形成し、シリコン酸化膜6を介してゲート電極3およびシリコン窒化膜4の側壁に側壁シリコン窒化膜5を形成し、さらに、側壁シリコン窒化膜5とシリコン窒化膜4との間のシリコン酸化膜6の上方部分にシリコン窒化膜8を埋設している。ゲート酸化膜2が側壁シリコン窒化膜5と直接接していないため、側壁シリコン窒化膜5に起因するストレスを緩和できる。側壁シリコン窒化膜5とシリコン窒化膜4との間にシリコン窒化膜8を埋設したことにより、ゲート電極3の下部以外の周囲は、シリコン窒化膜4,側壁シリコン窒化膜5およびシリコン窒化膜8で覆われているため、ゲート電極3の短絡を防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極と、前記ゲート電極上に形成したゲート上部絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜,前記ゲート電極および前記ゲート上部絶縁膜の側壁に沿って形成したストレス緩和用絶縁膜と、前記ストレス緩和用絶縁膜を介して前記ゲート電極および前記ゲート上部絶縁膜の側壁に形成したゲート側壁絶縁膜とを備えた半導体装置であって、前記ストレス緩和用絶縁膜のうち前記ゲート側壁絶縁膜と前記ゲート上部絶縁膜との間の部分をゲート短絡防止用絶縁膜に置換したことを特徴とする半導体装置。