特許

J-GLOBAL ID：200903096766782690

半導体発光/検出デバイスとその製造方法

発明者： ジョナサン・ダニエル・チャップル-ソコル ,  セシャドリ・サバンナ ,  マニュ・ジャムナダス・テジュワニ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-039678
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326359
出願日： 1994年03月10日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 シリコンベースの半導体デバイスにおける光相互接続を実現する半導体発光/検出デバイスを提供する。【構成】 半導体発光/検出デバイスは、第1のドープシリコン層10と、第1のドープシリコン層10上に形成された第1の真性シリコン・エピタキシャル層15と、真性シリコン・エピタキシャル層内に埋込まれた少なくとも1つの量子ドット20と、第2の真性シリコン・エピタキシャル層25上に形成された第2のドープシリコン層30とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体発光/検出デバイスの製造方法において、(a)第1の導電型の第1のドープシリコン層を設ける工程と(b)前記第1のドープシリコン層上に第1の真性シリコン・エピタキシャル層を形成する工程と、(c)前記第1の真性シリコン・エピタキシャル層に少なくとも1つの量子ドットを形成する工程と、(d)第2の真性シリコン・エピタキシャル層を、第1の真性シリコン・エピタキシャル層におよび前記少なくとも1つの量子ドット上に形成して、前記少なくとも1つの量子ドットを埋込む工程と、(e)前記第2の真性シリコン・エピタキシャル層上に第2の導電型の第2のドープシリコン層を形成する工程と、(f)前記層および前記少なくとも1つの量子ドットをもつ発光/検出デバイスを画成する工程と、を含むことを特徴とする半導体発光/検出デバイスの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/06 ,  H01L 31/12