特許
J-GLOBAL ID：200903096767019290
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-032417
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235177
出願日： 1992年02月20日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 ポリイミド膜のスルーホールに充填メッキを行う方法に関し,基板表面の平坦性を向上して上下配線の接続の信頼性を向上することを目的とする。【構成】 下層配線2が形成された基板1の上に絶縁膜3を被着し,該下層配線上の該絶縁膜に開口が表面より底面に向かって漸次広がる形状のスルーホール4を形成し,該下層配線により導通をとった電界メッキにより該スルーホール内に充填金属7を埋め込み,該絶縁膜上に該充填金属に接続する上層配線を形成するように構成する。
請求項（抜粋）：
基板(1) の上に下層配線(2) を形成し,該下層配線を覆って該基板上に絶縁膜(3)を被着し,該下層配線上の該絶縁膜に開口が表面より底面に向かって漸次広がる形状のスルーホール(4)を形成し,該下層配線により導通をとった電界メッキにより該スルーホール内に充填金属(7) を埋め込み,該絶縁膜上に該充填金属に接続する上層配線を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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