特許
J-GLOBAL ID:200903096773952380

液晶素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大谷 保
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-246514
公開番号(公開出願番号):特開平10-088139
出願日: 1996年09月18日
公開日(公表日): 1998年04月07日
要約:
【要約】【課題】 反強誘電性液晶あるいはセル厚より螺旋ピッチの短い強誘電性液晶を用いて、良好な配向性,高コントラストが得られる液晶素子を提供することである。【解決手段】 それぞれが電圧印加手段と配向制御層とを有する一対の基板間に液晶材料を挟持した液晶素子において、該液晶材料がカイラルネマチック相及びスメクチックA相を有する、反強誘電性液晶又はセル厚より螺旋ピッチの短い強誘電性液晶であり、両基板における配向制御層の一軸配向処理の方向が略平行であり、配向制御層に接する液晶分子が基板に対して2〜15度のプレチルト角を有していることを特徴とする液晶素子、及びその製造方法。
請求項(抜粋):
それぞれが電圧印加手段と配向制御層とを有する一対の基板間に液晶材料を挟持した液晶素子において、該液晶材料がカイラルネマチック相及びスメクチックA相を有する、反強誘電性液晶又はセル厚より螺旋ピッチの短い強誘電性液晶であり、両基板における配向制御層の一軸配向処理の方向が略平行であり、配向制御層に接する液晶分子が基板に対して2〜15度のプレチルト角を有していることを特徴とする液晶素子。
IPC (4件):
C09K 19/02 ,  C09K 19/34 ,  G02F 1/13 500 ,  G02F 1/1337 510
FI (4件):
C09K 19/02 ,  C09K 19/34 ,  G02F 1/13 500 ,  G02F 1/1337 510

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