特許
J-GLOBAL ID：200903096776588400

III族窒化物の結晶成長方法およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス

発明者：
岩田 浩和

岩田 浩和 について

, 
皿山 正二

皿山 正二 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-355335
公開番号（公開出願番号）：特開2006-160568
出願日： 2004年12月08日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】 従来よりも低コストで、高品質の大型のIII族窒化物結晶を作製することが可能なIII族窒化物の結晶成長方法を提供する。【解決手段】 少なくともアルカリ金属とIII族金属原料と窒素とが溶解した融液からIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法において、種結晶28のc面にIII族窒化物結晶29を成長させた後、該III族窒化物結晶29を種結晶28のc面の法線方向(0001)とは異なる方向<10-10>へさらに結晶成長させる。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
少なくともアルカリ金属とIII族金属原料と窒素とが溶解した融液からIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法において、種結晶上にIII族窒化物結晶を成長させた後、該III族窒化物結晶が結晶成長した種結晶の所定の結晶面の法線方向とは異なる方向へ、該III族窒化物結晶をさらに結晶成長させることを特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  C30B 9/00 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (4件)：
C30B29/38 D ,  C30B9/00 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
Fターム (22件)：
4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077CD05 ,  4G077EA04 ,  4G077ED02 ,  4G077HA02 ,  4G077MB12 ,  4G077MB32 ,  5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA63 ,  5F041CA65 ,  5F173AA08 ,  5F173AH22 ,  5F173AP03 ,  5F173AP24 ,  5F173AP82 ,  5F173AQ15 ,  5F173AQ16 ,  5F173AR82
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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