特許

J-GLOBAL ID：200903096786526267

半導体装置の製造方法

発明者： 堀尾 正弘
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-096394
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299394
出願日： 1992年04月16日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 電界効果トランジスタを作製する過程で、ゲート電極の側面に、窒化シリコン(SiN)からなるサイドウォールを形成する。【構成】 ゲート電極2を設けた基板10上にSiO2膜4とSiN膜5とを順に堆積する。エッチングガスとして塩素ガスを用い、リアクティブ・イオン・エッチング法により、SiN膜5のうちゲート電極上の部分5aと基板表面上の部分5cとを除去する一方、ゲート電極5の側面にSiN膜5の一部5bを残す。このSiN膜5bをサイドウォールとする。また、SiN膜5のエッチング終点は、波長3370ű20Å、3580ű20Åまたは3800ű20Åのプラズマ発光スペクトルの強度変化に基づいて定める。

請求項（抜粋）：

所定パターンのゲート電極を設けた基板上にSiO2膜とSiN膜とを順に堆積する工程と、エッチングガスとして塩素ガスを用い、リアクティブ・イオン・エッチング法により、上記SiN膜のうちゲート電極上の部分と基板表面上の部分とを除去する一方、上記ゲート電極の側面に上記SiN膜の一部を残す工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  H01L 29/784