特許

J-GLOBAL ID：200903096795680465

位相シフトマスク及びその製造方法

発明者： 楠瀬 治彦
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-129468
公開番号（公開出願番号）：特開平5-297568
出願日： 1992年04月21日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 その製造工程においてEB露光の際の基板帯電が少なく、また、取扱中に発塵が少ない位相シフトマスクおよびその製造方法を得る。【構成】 硝子基板1上に形成された透明導電膜4上に位相シフタ層3をスピンオングラスあるいは蒸着により形成した後、硝子基板1周辺部の位相シフタ層3をエッチング除去し、該処理面に導電性遮光膜2を形成した後、EB露光にて遮光膜パターンおよび位相シフタパターンを描画する。【効果】 EB露光時に基板上にある透明導電膜がグランド電位が保たれるため、基板の帯電によるパターン位置ずれが低減し、また、その構造上、マスク基板端面の位相シフタ材料が剥離することも無いので取扱中の発塵が少ない。

請求項（抜粋）：

透明硝子基板上に設けられた透明導電膜と、該透明導電膜上の所定の位置に形成された位相シフタ層と、該位相シフタ層上に所望のパターンで形成された導電性の遮光膜とを有し、光リソグラフィで用いられる位相シフトマスクにおいて、該位相シフトマスク周辺部の、パターンが描画されない領域では位相シフタ層が除去されていることを特徴とする位相シフトマスク。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W