光電変換装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-166248
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012903
出願日： 1996年06月26日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】従来のヘテロ接合タイプの光電変換装置の諸問題を解消し、結晶質シリコンと導電ペーストとの界面での特性を向上させ良好な変換効率を有する優れた光電変換装置を提供すること。【解決手段】 p型もしくはn型の結晶質シリコンから成る基板1の一主面上に、基板1とpn接合もしくはpin接合を構成する結晶質もしくは非晶質シリコン層2,3、及び受光面電極層4を順次積層させるとともに、基板1の他主面(裏面)上に基板と同一導電型もしくはi型の非晶質シリコン層(6,7)、及び導電ペースト8を順次積層させて成る。

請求項（抜粋）：

p型もしくはn型の結晶質シリコンから成る基板の一主面上に、該基板とpn接合もしくはpin接合をなすシリコン層、及び受光面電極層を順次積層させるとともに、前記基板の他主面上に基板と同一導電型もしくはi型の非晶質シリコン層、及び導電ペースト層を順次積層させてなる光電変換装置。

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