特許
J-GLOBAL ID：200903096816058689
シリコン受光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-238799
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107232
出願日： 1994年10月03日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：
【要約】【目的】 同一チップ内にシリコン系の受光素子と、ドライバー用のシリコンデバイスを同時に形成することによって製造コストを低減し、さらに、受光素子の感度及び光変換効率を改善する。【構成】 Si基板109表面にドライバーとなるSiデバイス101を配し、この基板表面よりSiをエッチングして溝を形成し、この中に、Si及びSi1-x Gex の超格子構造をもった、受光部103となるアバランシェフォトダイオードもしくはPINダイオードを埋め込み、表面の段差を無くす。また、SOI基板を用いることによって受光部下にSiO2 の光反射層を設ける。
請求項（抜粋）：
Si基板表面にドライバーとなるSiデバイスを配し、この基板表面よりSiをエッチングして溝を形成し、この溝の中に、Si及びSi1-x Gex の超格子構造を持った、受光部となるアバランシェフォトダイオードもしくはPINダイオードを埋め込み、表面の段差を無くしたことを特徴とするシリコン受光素子。
IPC (4件)：
H01L 31/107
, H01L 27/14
, H01L 31/0232
, H01L 31/10
H01L 31/10 B
, H01L 27/14 J
, H01L 31/02 C
, H01L 31/10 A
