特許

J-GLOBAL ID：200903096818186668

半導体化学センサ及びその製造方法

発明者： 杉浦 義幸
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-348760
公開番号（公開出願番号）：特開2002-156356
出願日： 2000年11月15日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】機械的強度を増すとともに歩留まりを向上した半導体化学センサを提供する。【解決手段】一面に2つの溝11を有し、ドレイン拡散層12及びソース拡散層13が離間して形成された半導体基板10と、半導体基板10の一方の面上に形成される化学量感応膜16と、半導体基板10の他方の面側に配設される電極12a,13aとを備え、半導体基板10の2つの溝11に、各溝11の開口面付近に達するまで導電体1を満たす。導電体1によって機械的な強度を増すことができ、また各電極12a,13aを例えばフォトリソグラフィを用いて形成するときには、半導体基板10に電極材を表面の凹凸を抑えて積層することができて、フォトレジストを前記表面上に沿って略均一に塗布することができ、従来例のような現像むらを抑えて歩留まりを向上させることができる。

請求項（抜粋）：

一面に1乃至複数の凹部を有し、ドレイン拡散層及びソース拡散層が離間して少なくとも1組形成された半導体基板と、半導体基板の一方の面上に形成され、外部のイオン濃度に感応する感応部と、半導体基板の他方の面側に配設され、前記ドレイン拡散層又はソース拡散層に電気的に各別に接続する複数の電極とを備えて電界効果型トランジスタを構成する半導体化学センサであって、半導体基板の1乃至複数の凹部に前記凹部の開口面付近に達するまで導電体を満たしたことを特徴とする半導体化学センサ。

FI (6件)：

G01N 27/30 301 U ,  G01N 27/30 301 V ,  G01N 27/30 301 W ,  G01N 27/30 301 D ,  G01N 27/30 301 E ,  G01N 27/30 301 G