静電容量型多軸加速度センサ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松井伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-060337
公開番号（公開出願番号）：特開平11-248741
出願日： 1998年02月26日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】簡略な構成により他軸の干渉を防止することができ、加速度の検出を多軸について高精度に行える静電容量型多軸加速度センサを提供すること【解決手段】可動電極15の上方に、X軸の検出電極31,32を対に配置するとともに、Y軸の検出電極も対に配置する。第1,第2補正用固定電極35,36を、可動電極15の上方及び下方に対向させて配置する。第1補正用固定電極に定電圧Vbzを印加し、第2補正用固定電極に可変電圧Vbdを印加する。Z軸方向の加速度が作用すると、これを相殺する静電引力を発生させるように可変電圧Vbdを調整する。このフィードバック制御により可動電極15のZ軸方向の移動が阻止され、他軸干渉がなくなる。

請求項（抜粋）：

複数の固定電極が形成された固定基板と、その固定基板に接合される半導体基板と、前記半導体基板の反対側に直接または所定基板を介して接合される他の固定基板とを有し、前記半導体基板は、前記固定基板と接合される枠体と、その枠体の内側に配置され加速度を受けて変位する可動体と、その可動体を前記枠体に対して弾性支持する梁とを有し、その可動体の前記固定電極に対向する面に所定のギャップをおいて可動電極を設け、その可動電極と前記固定電極との間に発生する静電容量に基づいて複数方向の加速度を検知する半導体容量型多軸加速度センサであって、前記可動体と前記固定基板との間に静電引力を発生させる第1引力発生手段と、前記可動体またはその可動体と一体に移動する部材と、前記他の固定基板の対向する表面の間に静電引力を発生させる第2引力発生手段とを備え、前記各引力発生手段のうち少なくとも一方は、発生させる静電引力を調整可能とし、かつ、前記各基板の積層方向の加速度を打ち消すような静電引力を前記可動体に与えるように前記静電引力の調整を制御する制御手段とを備えた静電容量型多軸加速度センサ。

IPC (3件)：

G01P 15/13 , G01P 15/125 , H01L 29/84

FI (3件)：

G01P 15/13 , G01P 15/125 , H01L 29/84 Z

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