特許

J-GLOBAL ID：200903096826255830

半導体発光素子

発明者： 木下 浩彰 ,  服部 邦裕 ,  土橋 一雅
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-272053
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131065
出願日： 1993年10月29日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 簡単な構造で、サブピーク波長光の強度をメインピーク波長光の強度の1%以下に抑制でき、また、該サブピーク波長光の強度を必要に応じて自在に制御できる発光素子を提供することである。【構成】 p型またはn型の伝導型でキャリア密度が5×1017cm-3以下の第1番目の半導体層1と、該半導体層の直上に形成され該半導体層と伝導型が同じでキャリア密度が5×1017cm-3以下の第2番目の半導体層2と、これら半導体層の上方に設けられこれらと異なる伝導型が上側であるpn接合面3cとを備え、かつ、第1番目の半導体層のバンドギャップがpn接合部3のバンドギャップより小さいものであるる半導体発光素子である。ただし、第1番目の半導体層及び/または第2番目の半導体層が、基板及び/またはpn接合部を形成する一方の半導体層を兼ねるものであってもよい。

請求項（抜粋）：

p型またはn型の伝導型でキャリア濃度が5×1017cm-3以下の第1番目の半導体層と、第1番目の半導体層の直上に形成され該半導体層と伝導型が同じでキャリア濃度が5×1017cm-3以下の第2番目の半導体層と、これら半導体層の上方に設けられこれらと異なる伝導型が上側であるpn接合面とを備え、かつ、第1番目の半導体層のバンドギャップがpn接合部のバンドギャップより小さいものである半導体発光素子。