特許
J-GLOBAL ID：200903096827315357
表面処理方法及び処理剤
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
平井 順二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-032633
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275405
出願日： 1992年01月23日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【構成】半導体の表面を無機又は有機のアルカリ、過酸化水素及び水を主たる構成成分とする半導体表面処理剤で洗浄する工程と、洗浄後これを超純水でリンスする工程とから成る半導体表面処理方法であって、半導体表面処理剤とリンス用超純水の少くとも何れか一方に、分子中にホスホン酸基又はその塩を1以上有するキレ-ト剤又はそれらの酸化体、又は縮合リン酸又はその塩(以下、これらを総称して、単に「本発明に係る錯化剤」と略記する。)を存在させて該処理を行う方法、及び処理用薬剤。【効果】本発明に係る錯化剤を半導体表面処理工程に於ける処理剤又はリンス液中に有機物汚染の害を及ぼさない程度の微量添加することにより、再結合ライフタイム低下とか酸化膜対圧低下等の電気的特性上の問題を起こさない表面不純物濃度まで、有害不純物の吸着を抑制することができ、また有害不純物に対する洗浄能力を向上させることが出来る。
請求項（抜粋）：
半導体の表面を無機又は有機のアルカリ、過酸化水素及び水を主たる構成成分とする半導体表面処理剤で洗浄する工程と、洗浄後これを超純水でリンスする工程とから成る半導体表面処理方法であって、半導体表面処理剤とリンス用超純水の少くとも何れか一方に、分子中にホスホン酸基又はその塩を1以上有するキレ-ト剤又はそれらの酸化体、又は縮合リン酸又はその塩(以下、これらを総称して、単に「本発明に係る錯化剤」と略記する。)を存在させて該処理を行う方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 341
, C11D 7/60
, C11D 7:18
, C11D 7:36
