特許

J-GLOBAL ID：200903096831202877

窒化チタンバリア層の形成のための連続プロセス

発明者： ムラリ ケー. ナラシンハン ,  ケニー キン-タイ ガン ,  ニティン クラナ ,  ブラッドリー オー. スティムソン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-168267
公開番号（公開出願番号）：特開平9-190986
出願日： 1996年06月07日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】【課題】 向上したバリア性能を有する向上した窒化チタンバリア層を、最低限の数の処理チャンバを用いて低コストで連続的な方法で堆積することが可能なプロセス。【解決手段】 チタン/窒化チタンバリア層の堆積並びに、引続いて行われる酸素プラズマを用いた処理が、1つのスパッタリングチャンバにおいて遂行することが可能であり、また、酸素プラズマ処理の後で薄いトップ層を堆積することにより、チタンターゲットがクリーニングされ窒素含有不純物及び酸素含有不純物が除去できる。このステップは、窒化チタンの汚染を防止し、また、このスパッタリングチャンバ内で次の基板の上に堆積する最初のチタン層が、酸素及び窒素による汚染のない純粋なチタン層であるという、付加的な利益を有している。従って、バリア層の堆積及び酸素を用いた強化(改質)が、同じ1つのチャンバ内で行われることととなり、更にこれは、連続的にマスプロダクションの処理に使用することが可能である。

請求項（抜粋）：

ターゲットと、該ターゲットに接続されるDC電源と、基板支持体と、該基板支持体に接続されるRF電源と、ガス流入口とを有する1つの基板処理スパッタリングチャンバ内で、チタンを含有するバリア層を形成する方法であって、以下の連続するステップ:a)前記チャンバに基板を移送し、アルゴン雰囲気下でチタンの第1の層を前記基板上にスパッタ堆積するステップと、b)アルゴン及び窒素の雰囲気下で窒化チタンの第2の層を前記基板上にスパッタ堆積するステップと、c)RF電源を作動させて基板の近隣にアルゴンと酸素との混合物からプラズマを形成しつつ、ターゲットにDC電力を印加してチタンターゲットのスパッタリングを継続するステップと、d)酸素の供給を停止し、処理済みの窒化チタン層の上に、チタンの第2の層を少なくとも3秒間スパッタ堆積するステップと、e)前記基板を前記チャンバから搬出し、前記チャンバ内に別の基板を搬入するステップとを有する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C01G 23/00 ,  H01L 21/203

FI (4件)：

H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 R ,  C01G 23/00 Z ,  H01L 21/203 S