半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：堀口浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-039884
公開番号（公開出願番号）：特開2007-221922
出願日： 2006年02月16日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：

【課題】出力電流が大きいときハイサイド側のスイッチング素子及びローサイド側のスイッチング素子が同時にオフするデッドタイムを短縮し、出力電流が小さいときデッドタイムを長くする。【解決手段】 DC-DCコンバータ1には、第1のOFF検出回路2、第2のOFF検出回路3、電流判定回路4、コンデンサC1、コンデンサC2、インバータINV1乃至3、ダイオードD1乃至D3、インダクタL1、第1のレベルシフト回路LS1、第2のレベルシフト回路LS2、第1の2入力NAND回路NAND1、第2の2入力NAND回路NAND2、Pch MOSトランジスタPT1及びPT2、Nch MOSトランジスタNT1及びNT2、Nch パワーMOSトランジスタPNT1、Nch パワーMOSトランジスタPNT2が設けられている。電流判定回路4で電流モニターされた回生電流Ibackの値に応じてデッドタイムが制御されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

高電位側電源側に設けられ、制御電極に入力される信号によりオン・オフ動作するハイサイド側スイッチング素子と、低電位側電源側に設けられ、制御電極に入力される信号によりオン・オフ動作するローサイド側スイッチング素子と、前記ローサイド側スイッチング素子側に流れる回生電流をモニターし、その電流レベルを判定して電流レベルに応じた信号レベルを有する第1及び第2の制御信号を生成する電流判定回路と、前記ローサイド側スイッチング素子の制御電極に接続され、前記第1の制御信号を入力し、前記回生電流が閾値より小さい場合、前記ローサイド側スイッチング素子が“ON”から“OFF”になるときの制御電極電圧を前記第1の制御信号レベルにもとづいて前記回生電流が閾値より大きい場合よりも検知時刻を遅延させ、前記ハイサイド側スイッチング素子を“OFF”から“ON”させる信号を出力して、前記回生電流が閾値より大きい場合よりも前記回生電流が閾値より小さな場合に、前記ハイサイド側スイッチング素子と前記ローサイド側スイッチング素子が共に“OFF”するデッドタイムを長くする第1のO FF検出回路と、前記ハイサイド側スイッチング素子の制御電極に接続され、前記第2の制御信号を入力し、前記ローサイド側スイッチング素子を“OFF”から“ON”させる信号を出力し、前記回生電流が閾値より小さい場合、前記ハイサイド側スイッチング素子が“ON”から“ OFF”になるときの制御電極電圧を前記第2の制御信号レベルにもとづいて前記回生電流が閾値より大きい場合よりも検知時刻を遅延させ、前記ローサイド側スイッチング素子を“OFF”から“ON”させる信号を出力して、前記回生電流が閾値より大きい場合よりも前記回生電流が閾値より小さな場合に、前記ハイサイド側スイッチング素子と前記ローサイド側スイッチング素子が共に“OFF”するデッドタイムを長くする第2のOFF 検出回路と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H02M 3/155

FI (1件)：

H02M3/155 C

Fターム (10件)：

5H730AA20 , 5H730AS01 , 5H730BB13 , 5H730DD04 , 5H730DD16 , 5H730DD28 , 5H730DD32 , 5H730FD33 , 5H730FG02 , 5H730XX05

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許出願公開第2004/0207372号明細書

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