特許

J-GLOBAL ID：200903096835347969

MOSFETおよびこれを組み込んだセンサデバイス

発明者： 冨田 勝彦 ,  澤田 和明
出願人/特許権者： 株式会社堀場製作所
代理人 (1件)： 藤本 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-242252
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068668
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 低ノイズのMOSFETおよびこれを組み込んだセンサデバイスを提供すること。【解決手段】 MOSFETにおいて、チャネルを半導体基板の深い部分に設けた。

請求項（抜粋）：

チャネルを半導体基板の深い部分に設けたことを特徴とするMOSFET。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  G01J 1/02 ,  G01N 27/00 ,  H01L 37/02

FI (4件)：

H01L 29/78 301 H ,  G01J 1/02 Y ,  G01N 27/00 J ,  H01L 37/02

Fターム (16件)：

2G060AE33 ,  2G060AE40 ,  2G060AF06 ,  2G060DA01 ,  2G060DA02 ,  2G065AB02 ,  2G065BA08 ,  2G065BA13 ,  2G065BA14 ,  5F040DA03 ,  5F040DB00 ,  5F040DC01 ,  5F040EA00 ,  5F040EB15 ,  5F040EE04 ,  5F040EM00