特許
J-GLOBAL ID：200903096842216560
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-340229
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181123
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子と半導体キャリアとの接合で位置ずれが発生することを防止する。【解決手段】 半導体素子3上の導電性接着剤6が供給されたAuバンプ2と半導体キャリア4上の電極5とを位置精度よく合わせて接合する工程が、マウンターのサポートブロック9により支持された半導体キャリア4に対して半導体素子3が導電性接着剤6により接着され、そのサポートブロック9上で導電性接着剤6を仮熱硬化する工程と、その後、仮熱硬化されたものを硬化炉に移送し、硬化炉内で導電性接着剤6を本熱硬化する工程とを備える。これにより、本熱硬化するために硬化炉へ移送しても、振動、衝撃により位置ずれを防止でき、半導体素子3と半導体キャリア4とが位置ずれなく接合された半導体装置を実現することができる。
請求項（抜粋）：
半導体素子上の電極パッド上にバンプ電極を形成する工程と、前記半導体素子上に形成したバンプ電極にのみ導電性接着剤を形成する工程と、半導体キャリア上のバンプ接続用電極と前記半導体素子上のバンプ電極とを前記導電性接着剤を介して接着した後、前記導電性接着剤を仮熱硬化させ、次いで導電性接着剤を本熱硬化させ、半導体素子と半導体キャリアとを接合する工程と、半導体素子と半導体キャリアとの隙間に封止樹脂を注入し、硬化させて樹脂封止を行なう工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 23/12
H01L 21/60 311 S
, H01L 23/12 L
