特許

J-GLOBAL ID：200903096844584264

電界放出デバイスとその製造方法

発明者： サンゴー ジン ,  グレゴリー ピーター コチャンスキー ,  ジョン トムソン,ジュニア.
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-243941
公開番号（公開出願番号）：特開平8-077918
出願日： 1995年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【課題】 電界放出デバイスとその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の電界放出デバイスは、絶縁基板上にエミッタ材料を配置し、犠牲層をエミッタ材料に加え、犠牲層の上にランダムに分布した開口を有する導電性ゲート層を形成することにより製造される。本発明のプロセスにおいては、このゲートは、マスクパーティクルを犠牲膜に加え、マスクパーティクルと犠牲膜の上に導電性膜を加え、そしてマスクパーティクルを除去してエミッタ材料にランダム的に分布した開口を形成することにより製造される。犠牲膜はその後除去される。そして開口はエミッタ材料を露出する。本発明の実施形態においては、犠牲膜は誘電体スペーサパーティクルを含み、このパーティクルは膜が除去されても残されてゲートとエミッタの隔離を実現する。このように優れた且つ経済的な多数のランダム分布の開口を有する電界放出デバイスが得られ、低コストのフラットパネル型ディスプレイに利用できる。

請求項（抜粋）：

(A)基板の上に電子エミッタ材料層を加えるステップと、(B)前記エミッタ材料に犠牲層を加えるステップと、(C)前記犠牲層の上にランダムに分布した開口を有する導電性ゲート層を形成するステップと、(D)前記犠牲層を除去し、前記導電性層と前記エミッタ材料層との間に間隔を提供するステップと、(E)電界放出デバイスを完成するステップとからなることを特徴とする電界放出デバイスの製造方法。

IPC (4件)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/30 ,  H01J 31/12 ,  H01J 31/15