特許

J-GLOBAL ID：200903096844948177

半導体装置及びその製造方法

発明者： 長谷川 泰男 ,  篠原 信一 ,  小林 秀雄
出願人/特許権者： オリジン電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-197229
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046221
出願日： 1994年07月29日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】高速リカバリ特性を損なうことなく、ソフトリカバリ特性をもつ電力用ダイオードおよびその製造方法を提供すること。【構成】不純物濃度の低い第1の導電型の第1の半導体領域と該第1の半導体領域に隣接する不純物濃度の高い第1の導電型の第2の半導体領域とからなる第1の導電型の半導体層と、前記第1の半導体領域とPN接合を形成する不純物濃度の高い第2の導電型の半導体層とからなり、ライフタイムキラーとして白金がドープされた高速リカバリの半導体装置において、前記不純物濃度の低い第1の半導体領域における前記PN接合の近傍の部分は、その内部側よりも白金の濃度が高いことを特徴とする高速ソフトリカバリ特性をもつ半導体装置。

請求項（抜粋）：

不純物濃度の低い第1の導電型の第1の半導体領域と該第1の半導体領域に隣接する不純物濃度の高い第1の導電型の第2の半導体領域とからなる第1の導電型の半導体層と、前記第1の半導体領域とPN接合を形成する不純物濃度の高い第2の導電型の半導体層とからなり、ライフタイムキラーとして白金がドープされた高速リカバリの半導体装置において、前記不純物濃度の低い第1の半導体領域における前記PN接合の近傍の部分は、その内部よりも白金の濃度が高いことを特徴とする高速ソフトリカバリ特性をもつ半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/872

FI (2件)：

H01L 29/91 J ,  H01L 29/48 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭58-033875
  
• 特公昭63-034630
  
• 特表平6-502277
  
• 特開昭58-131736