特許

J-GLOBAL ID：200903096848957197

半導体素子

発明者： 船場 真司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-111465
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097485
出願日： 1993年05月13日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 入射光を吸収して電子・正孔対を発生するn- -InGaAs光吸収層2と、該領域からの光キャリアによりアバランシェ増倍を起こすn-InP増倍層4とを備えたアバランシェフォトダイオードにおいて、上記増倍層4の最大電界強度EM の変動に関わらず、上記光吸収層2での最大電界を一定の最適な値に保持する。【構成】 n-InP増倍層4とn- -InGaAs光吸収層2との間に、最適ヘテロ電界EH0以上の電界で束縛電子を放出するInP/InGaAs/InP量子井戸層3を備えた。

請求項（抜粋）：

複数の半導体層を積層してなる半導体積層構造を有し、該半導体積層構造にバイアスを印加して所定の動作を行う半導体素子において、上記半導体層積層構造における、バイアス印加により空乏層が広がる領域に配置され、特定電界強度にて束縛キャリアを放出する所定量の不純物イオンを含む量子井戸層を備えたことを特徴とする半導体素子。

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平1-144687
  
• 特開昭63-096971
  
• 特開昭63-009163
  
• 特開平3-109779
  
• 特開平2-081480