特許

J-GLOBAL ID：200903096849901926

低熱膨張銅合金及びこれを用いた半導体装置並びに低熱膨張銅合金の製造方法

発明者： 熊本 晋吾 ,  細田 成己
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-251230
公開番号（公開出願番号）：特開2001-073047
出願日： 1999年09月06日
公開日（公表日）： 2001年03月21日
要約：

【要約】【課題】 接合される相手材の熱膨張特性に調整可能であり、かつ、優れた放熱特性を有した低熱膨張銅合金及びこれを用いた半導体装置並びに低熱膨張銅合金の製造方法を提供する。【解決手段】 銅と酸化銅からなる二相金属組織を有した銅合金の表面に、銅単一の層を有する低熱膨張銅合金。

請求項（抜粋）：

銅と酸化銅からなる二相金属組織を有した銅合金の表面に、銅単一の層を有することを特徴とする低熱膨張銅合金。

IPC (4件)：

C22C 1/05 ,  B23K 20/00 340 ,  B32B 15/01 ,  C22C 9/00

FI (5件)：

C22C 1/05 E ,  C22C 1/05 R ,  B23K 20/00 340 ,  B32B 15/01 H ,  C22C 9/00

Fターム (26件)：

4E067AA07 ,  4E067BB02 ,  4E067EA05 ,  4F100AA17A ,  4F100AA17K ,  4F100AB17A ,  4F100AB17B ,  4F100AB31A ,  4F100BA02 ,  4F100EC01 ,  4F100EJ14 ,  4F100EJ48 ,  4F100GB41 ,  4F100JA02 ,  4F100JJ01 ,  4K018AA04 ,  4K018AB01 ,  4K018AC01 ,  4K018BA02 ,  4K018DA14 ,  4K018DA31 ,  4K018EA06 ,  4K018EA44 ,  4K018JA29 ,  4K018JA34 ,  4K018KA32