特許

J-GLOBAL ID：200903096855679011

ガラス基板の光処理方法およびデバイス

発明者： 大塚 賢治
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (4件)： 小林 久夫 ,  佐々木 宗治 ,  木村 三朗 ,  大村 昇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-389429
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150608
出願日： 2003年11月19日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】 フラッシュランプから発した照射光がガラス基板の表面の全域に均一に照射されるようにするガラス基板の光処理方法を提供する。【解決手段】 ガラス基板1の表面に成膜された非晶質半導体薄膜2U、2S、2Lを形成する工程と、前記表面に形成された非晶質半導体薄膜2U、2S、2Lに光照射して光処理(結晶化や活性化)をする工程とを有し、該光処理に際し、前記ガラス基板の側面または裏面から光が侵入しないようにする。また、ガラス基板1が直接的または間接的に載置されるステージ3の上面に光吸収膜4を形成する。さらに、側面または裏面から光が侵入しないようにして光処理をしたガラス基板1を用いてデバイスを製造する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ガラス基板の少なくとも表面に、成膜された非晶質半導体薄膜を形成する工程と、 前記表面に形成された非晶質半導体薄膜に光照射して光処理をする工程とを有し、 該光処理に際し、前記ガラス基板の側面または裏面から光が侵入しないようにし たことを特徴とするガラス基板の光処理方法。

IPC (2件)：

H01L21/26 ,  H01L21/20

FI (3件)：

H01L21/26 F ,  H01L21/20 ,  H01L21/26 Q

Fターム (7件)：

5F052AA25 ,  5F052CA07 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DA10 ,  5F052DB02 ,  5F052JA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体薄膜の形成方法、半導体装置及び電気光学装置の製造方法、これらの方法の実施に使用する装置、並びに半導体装置及び電気光学装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-368624   出願人：ソニー株式会社