特許

J-GLOBAL ID：200903096855723533

共鳴トンネル障壁構造

発明者： 大坂 次郎 ,  松崎 秀昭
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 和泉 良彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-346172
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151678
出願日： 2000年11月14日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】AlAs層を含む障壁層を有する共鳴トンネル構造において、大きなIPと大きなpV比を実現する。【解決手段】第1、第2の障壁層3、5の厚さが3分子層以上であって、第1、第2の障壁層3、5の第1分子層101、106と最終分子層105、110とがAlAsからなり、第1分子層101、106と最終分子層105、110とに挟まれた中間層111、112が、1層のAlAs層103、108と複数層のInAlAs混晶層102、104とから形成され、AlAs層103、108とInAlAs混晶層102、104、107、109が交互に形成され、中間層111、112内の面方向に連続するAlAs層103、108の厚さが1分子層を超えず、かつ、InAlAs混晶層102、104、107、109の厚さが1分子層であるように積層した層から形成されている。

請求項（抜粋）：

第1の半導体薄膜と、上記第1の半導体薄膜中のキャリアに対して障壁として作用する第1、第2の障壁層と、上記第1、第2の障壁層で挟まれた量子井戸層と、第2の半導体薄膜とを有し、上記第1、第2の障壁層の厚さが3分子層以上であって、上記第1、第2の障壁層の第1分子層と最終分子層とがAlAsからなり、上記第1分子層と上記最終分子層とに挟まれた中間層が、1層もしくは複数層のAlAs層と1層もしくは複数層のInAlAs混晶層とから形成されるか、または1分子層以上の厚さの1層のInAlAs混晶層から形成され、上記中間層が上記AlAs層を含む場合は、上記AlAs層と上記InAlAs混晶層が交互に形成され、上記中間層内の上記AlAs層の厚さが1分子層を超えず、かつ、上記InAlAs混晶層の厚さが1分子層以上であるように積層した層から形成されていることを特徴とする共鳴トンネル障壁構造。

IPC (4件)：

H01L 29/66 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/88

FI (4件)：

H01L 29/66 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/88 F

Fターム (9件)：

5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045BB19 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55