特許
J-GLOBAL ID：200903096857580268
薄膜光電変換素子の製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-099054
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293491
出願日： 1995年04月25日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：
【要約】【目的】並行して搬送される2列の可撓性基板のそれぞれの表面上に膜厚、膜質の均一な成膜をする。また、近接した成膜室で成膜する場合に、一方の成膜のために高電圧電極に印加される電圧によるノイズによって他方の成膜が影響されないようにする。【構成】2列の可撓性基板の間に絶縁体を介して結合された二つの高電圧電極をおき、それぞれに基板をはさんで接地電極を対向させて、高電圧電極と基板との間に形成される成膜室での成膜のための印加電圧の制御が別個にできるようにする。ノイズの防止には、高電圧電極の背後、側面をシールド体で覆い、高電圧電極と基板の間には絶縁して結合される導電性枠を介在させることによってシールドする。
請求項（抜粋）：
並行して搬送される2列の可撓性基板の間に第一電極、この第一電極に対向して各基板の外側にそれぞれ第二電極を配置し、第一電極と各基板の間に形成される成膜空間に第一、第二電極間への電圧印加によって放電を発生させることにより、各基板の一面上に薄膜を形成する薄膜光電変換素子の製造装置において、それぞれの基板に対して各1個の第一電極を備え、第一電極が基板面に平行な背面部と基板に気密に接触可能の端面をもつ側壁部とを有し、両第一電極の背面部が絶縁体によって連結されたことを特徴とする薄膜光電変換素子の製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 C
, H01L 31/04 T
