特許
J-GLOBAL ID：200903096861599712
りん化ひ化ガリウムエピタキシャルウエハ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
長谷川 一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-149726
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343740
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】発光ダイオード等の素子製造の際のウエハの割れの少ないりん化ひ化ガリウムエピタキシャルウエハを提供することである。【構成】所望の混晶率を有するりん化ひ化ガリウム混晶率一定層中に混晶率の段差を設けることによって、りん化ひ化ガリウムエピタキシャルウエハに残留する応力を緩和する。
請求項（抜粋）：
りん化ガリウム単結晶基板上にりん化ひ化ガリウム混晶率変化層及びりん化ひ化ガリウム混晶率一定層をこの順に形成したりん化ひ化ガリウムエピタキシャルウエハにおいて、上記りん化ひ化ガリウム混晶率一定層中に、基板側の混晶率よりも表面側の混晶率が0.01〜0.05低くなるように混晶率の段差を形成したことを特徴とするウエハ。
IPC (2件)：
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