半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-008959
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203994
出願日： 1995年01月24日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】 U溝分離の充填を容易にして、製造工程を簡略化できるようにすることを目的とする。【構成】 U溝11には、バイポーラトランジスタ上に形成される層間絶縁膜12,13が埋設・充填される。そして、バイポーラトランジスタは、半導体基板1の主面上に構成されており、U溝11およびチャネルストッパー4によって他の素子から分離される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の素子形成領域周辺に形成されたフィールド酸化膜と、絶縁膜が埋設され、前記フィールド酸化膜とともに前記素子形成領域を分離するためのU溝とを有し、前記絶縁膜は、前記素子形成領域上に形成された素子上の層間絶縁膜に連続して形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/76 , H01L 21/316 , H01L 21/331 , H01L 29/73

FI (3件)：

H01L 21/76 L , H01L 21/94 A , H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭58-155357
特開平3-276680
特開昭60-181631

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